No.ワンnandでAIの脳みそなんだぞ！

メモリは結局全部同じ動きじゃん
何処の決算が出ても関係なく同じ動き
NANDとかDRAMの区別もねぇ

>>718
NANDはもう来年頭にも不足なくなる

>>718
2027年以降はNAND余るのに設備投資したら余計に死ぬぞ？

6525コクサイエレ↑↓NANDの見通し慎重なのかな(´・ω・`)

なんで日本最高の企業で天皇陛下とも言われるキオクシアが
NANDしか作れないの？

レポート要約

ゴールドマン・サックスはサンディスクとウェスタンデジタルの決算について、「業績は好調だが、市場の期待が高すぎた」とコメント

ゴールドマン・サックスは、サンディスクの株価は6月のピークから約40％下落しており、これは部分的に過度に楽観的な期待を織り込んでいるものの、市場は堅調なNAND価格、AIデータセンターにおける採用の加速、そして同業他社の好業績に対する強い楽観論を持って決算発表シーズンに突入しており、市場コンセンサスを下回るガイダンスは株価にさらなる下落圧力をかけるだろうと指摘

業界全体の動向を見ると、ゴールドマン・サックスは、サンディスクの業績見通しが期待を下回ったことで、ストレージ業界全体のセンチメントがやや冷え込んだと考えている。レポートでは、両社は最終市場における事業展開が類似しているため、サンディスクの決算発表後、マイクロン・テクノロジーの株価はマイナス反応を示すと明言

NANDはまあまあ怪しくはなってきたな
言うてもボロ儲け続くやろけど(´・ω・｀)

判決
2026年7月16日に米地裁の陪審員が特許侵害を認める評決を出し、続く7月31日に正式な賠償判決が言い渡されました。
対象となった技術NAND型フラッシュメモリーの動作時における「消費電力の抑制」や「データ誤り訂正（信頼性向上）」に関する特許技術です。ウエスタンデジタル（サンディスク）への波及原告のビアサット社は、キオクシアの共同開発・製造パートナーである米半導体大手ウエスタンデジタル（Western Digital / SanDiskブランドを保有）に対しても、同様の特許侵害で別の訴訟を提起しています。そのため、同じ技術を共有する両グループ全体の知財リスクとして注目を集めています。

サンディスクとキオクは一蓮托生(´・ω・｀)
韓国はNANDはローテク過ぎてあんまりやってないからなぁ

大谷さんOPS1位だなー(´・ω・`)参考値で防御率もQSも1位　K/BBも上位　怪我とWBCありで　なんだっけ速過ぎる情報がうんたらかんたらコロナやNANDの時も（・∀・）ﾆﾔﾆﾔ
>>28
しょっちゅう40％取れてると11億如きなわけないでしょー(´・ω・`)

>>853
NANDはまだまだ不足してる

キオクはNANDでも死ぬ

キオクとサンディスクの両方がクソ決算ならもはや構造的な問題なんよ
明らかにNANDは余り出してる

時間外サンディスク-7%やんけ
NAND終わったわ

27年メモリ市場　DRAMは逼迫継続、NANDは供給緩和へ
https://news.yahoo.co.jp/articles/25f5a6e0ee22e2c0a102450eb7c09c11678011ca?page=2


何度も言うよ〜♪

サンディスクの時間外株価だけ見て判断すると本質を見失います。
サンディスクとキオクシアは、同じNANDを同じ工場で共同開発・共同生産するパートナーです。
サンディスクが儲かる局面は、キオクシアも儲かる局面です。

今回の決算では、
・売上・EPSとも市場予想超え
・データセンター需要は急拡大
・次四半期も粗利益率83〜85％を見込む
・長期契約を10件まで拡大
・155億ドル規模の自社株買いを実施

これはNAND市況が依然として極めて強いことを会社自身が証明した決算です。

やっぱクソ決算か
NANDはダメなんだって

>>50
(´・ω・`)
キオクシアと工場を共同運営する密接なパートナーです。
今回のビアサットによる特許主張は他のフラッシュメモリ（NAND）メーカーにも飛び火するリスクが懸念されており、サンディスク側への波及を警戒する見方もあります。

NANDでもNANDでもNANDでも立ち上がり呼ぶよ君の名前

NANDは来年余ると聞いたが

>>823
ガンガン工場建ててるけど稼働まで逼迫しそうだからまだいいか
HBMはNANDは知らん

>>791
NANDがリスクだからイビデンか東エレでいい気しかしない

nandはそろそろって言われているな(´・ω・｀)

キオクシアとサンディスク、業界最高のビット密度を実現する新しい3次元フラッシュメモリ技術を発表
https://www.kioxia.com/ja-jp/about/news/2026/20260804-2.html
QLC技術を用いた第10世代3次元フラッシュメモリの主な特長
332層積層技術および設計の工夫により、第8世代との比較で最大60％のビット密度向上を実現し、37Gb/mm²超を達成
Toggle DDR6.0およびSeparate Command Address（SCA）プロトコルを採用し、高速インターフェース性能を最大限に引き出す4.8Gb/s注3のNANDインターフェース速度を実現
CMOS directly Bonded to Array（CBA）技術により、高密度化、高性能化、および製造効率向上を実現
Power-Isolated Low-Tapped Termination（PI-LTT）技術により、I/Oデータ出力転送時の電力効率を向上